姓 名

刘波

性 别

男

出生日期

1973.8

学 历

博士研究生

职 称

教授（二级）

工作单位

苏州科技大学，材料科学与工程学院

职  务

纳米光电材料与微结构研究中心主任

苏州市微纳光电材料与传感器重点实验室主任

电  话

18964733679

电子邮箱

liubo@mail.usts.edu.cn  

【个人简介】

刘波，博士（后），二级教授，博士研究生导师，国家973（纳米重大科学研究计划）项目首席科学家，九三学社社员，九三学社苏州科技大学基层委员会副主委、第三支社主委，中国人民政治协商会议江苏省苏州市第十五届委员会委员。

系统研究并阐明相变材料的激光致相变特性及其机理，优化开发出高密度可擦重写相变光盘的制备工艺；国内率先开展相变存储器（PCRAM）的研究工作，在新型相变材料、电极材料、器件单项工艺开发及其集成方面获得多项国内领先的科研成果，最早把Sb2Te3及其掺杂改性的相变材料应用于PCRAM，具体负责完成8和12英寸PCRAM专用平台的搭建工作，实现与中芯国际0.18 mm-40 nm标准工艺线无缝对接，基于此平台研发出具有完整功能的16 Mb MaskROM字库芯片和1 Kb-64 Mb PCRAM试验芯片的单项工艺及其集成工艺，4 Kb打印机用PCRAM芯片产品已获得1600万颗试用订单；提出光电混合相变存储器新概念；筹建纳米光电材料与微结构研究中心校级研究中心，并成功获批苏州市重点实验室，完成团队和实验室研究平台建设；发起和助力学院成功增设新能源材料与器件本科专业；发起和筹建苏州新能源产业技术研究院。

负责过国家纳米重大科学研究计划（973）项目、国家863计划重点项目子课题、国家863计划目标导向类项目等科研项目28项，参加过国家集成电路重大专项、国家纳米重大科学研究计划、国家863、国家973等科研项目36项。

已发表期刊论文394篇（SCI论文306篇），H因子为38；授权中国发明专利133项、美国发明专利5项；参与《Data Storage at the Nanoscale: Advances and   Applications》、《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等五部著作的编写工作；培养研究生52名（博士16名、硕士36名）。

荣获上海市技术发明二等奖、首届上海市知识产权创新奖专利商标二等奖、中国电子学会技术发明三等奖等科技奖励；获得江苏省双创人才（高校创新类）、江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象（中青年领军人才）、中国科学院青年创新促进会会员、首届中国科学院卢嘉锡青年人才奖、上海市青年科技启明星跟踪、上海市青年科技启明星等荣誉；荣获九三学社创建80周年全国优秀社员；入选上海市青年科技启明星二十周年典型宣传案例画册和中国博士后30年-上海市优秀博士后代表宣传画册。

入选国家重点研发计划重点专项评审核心专家库；担任中国物理学会固体缺陷委员会委员、中国物理学会终身会员、中国电子学会终身高级会员、中国光学学会终身高级会员、中国材料研究学会高级会员、中国神经科学学会会员、苏州科技大学学术委员会委员。

作为组委会主任或大会秘书长，组织过一次国内学术会议和三次国际存储学术会议，新华社、人民网、文汇报、科技日报等媒体对会议进行了专门报道，反响巨大。

【研究领域】

纳米光电材料与器件：信息存储材料与器件、新能源材料与器件、传感器材料与器件。

【学习经历】

[1]. 2000. 8-2003. 5，中国科学院上海光学精密机械研究所，材料学专业， 工学博士（导师干福熹院士）

[2]. 1998. 8-2000. 7，中国科学院上海光学精密机械研究所，材料学专业，工学硕士

[3]. 1997. 9-1998. 7，中国科学技术大学，材料科学与工程系，学习硕士学位基础课程

[4]. 1993. 9-1997. 7，齐鲁工业大学（原山东轻工业学院），材料学专业，工学学士

【工作经历】

[1]. 2019.12-，苏州科技大学，二级教授，博士生导师

[2]. 2017. 7-2019.12，苏州科技大学，三级教授，博士生导师

[3]. 2014. 1-2017. 6，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，三级研究员，博士生导师

[4]. 2009. 1-2013. 12，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，四级研究员，博士生导师

[5]. 2005. 3-2008. 12，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，副研究员，硕士生导师

[6]. 2003. 6-2005. 3，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，微电子学与固体电子学专业，博士后

【科研项目】

[1]. 高密光盘金属氧化物记录材料开发合作项目（TC20230321027），华为技术有限公司，2023.4 -2024.12，159.65万，主持

[2]. 干法显影及高透明氧化物材料研究技术合作项目（TC20210706027），华为技术有限公司，2021.7-2022.7，100.34万，主持

[3]. 江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象资助科研项目，Cr掺杂SbTe光电混合存储材料及其超快相变机理研究，2021.1-2022.12，30万，主持

[4]. 江苏省双创人才资助项目，新型相变材料及其在存算一体化芯片中的应用，2020.9-2023.8，50万，主持

[5]. 苏州市重点实验室项目，苏州市微纳光电材料与传感器重点实验室（SZS201812），2018.7-2021.6，60万（学校配套30万），主持

[6]. 苏州科技大学高层次人才引进科研启动经费，2017.7-2027.6，1000万，主持

[7]. 中国科学院青年创新促进会资助项目（2012180），2012.1-2015.12，40万，主持

[8]. 国家纳米重大科学研究计划（973）项目，“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”（2010CB934300），2010.1-2014.8，2912万，项目首席科学家，主持

[9]. 上海市青年科技启明星跟踪项目，PCRAM相变材料刻蚀与抛光工艺及机理研究（09QH1402600），2009.7-2011.6，20万，主持

[10]. 国家863重点项目子课题，“相变随机存储器存储材料及关键技术”（2008AA031402），2008.12-2010.12，1035.2万，主持

[11]. 国家自然科学基金青年项目，CRAM新型存储材料GeTi及其存储机理研究（60706024），2008. 1-2008. 12，7万，主持

[12]. 国家863计划目标导向类项目，“C-RAM芯片关键技术研究”（2006AA03Z360），2006. 12-2008. 12，300万，主持

[13]. 上海市科委“登山行动计划”项目研发基地配套专项项目，“高密度C-RAM纳米加工工艺研究”（06DZ22017），2006. 10-2008. 9，90万，主持

[14]. 上海市科学技术发展基金基础计划处青年科技启明星计划项目，C-RAM器件关键纳米加工工艺研究（06QA14060），2006. 7-2008. 6，10万，主持

[15]. 上海市科学技术发展基金基础计划处重点项目，“硫系化合物相变材料的P/N型特性研究”（05JC14076），2005. 10-2007. 9，30万，主持

[16]. 上海市自然科学基金项目，新型C-RAM相变材料制备工艺及其性能表征（04ZR14154），2004. 11-2006. 12，5万，主持

[17]. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项， “纳电子器件C-RAM关键材料制备工艺”（0352nm016），2003. 10-2005. 9，40万，主持

[18]. 江苏省省市共建项目，苏州新能源产业技术研究院，2020.1-2022.12，1500万，参与（负责其中350万的课题）

[19]. 上海市“科技创新行动计划”研发基地建设项目，半导体存储器制备与测试平台（13DZ2295700），2013.12-2015.11，100万，参与

[20]. 中国科学院战略性先导科技专项（A类）项目子课题，高密度相变存储器技术（XDA09020402），2013. 6-2018. 6，3315万，参与

[21]. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，高速PCRAM材料和荧光量子点的应用研究（12nm0503701），2012. 10-2014. 9，24万，参与

[22]. 上海市“科技创新行动计划”研发基地建设项目，存储器纳米制造技术（11DZ2261000），2011.12-2013.9，200万，参与

[23]. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，12英寸PCRAM工程化关键纳米加工技术研究（1052nm07000），2010. 3-2012. 6，70万，参与

[24]. 国家集成电路重大专项项目，65-45-32纳米成套工艺研发与产业化（2009ZX02023）课题，45nm相变存储器工程化关键技术与应用（2009ZX02023-003），2009.1-2018.9，17948.82万，参与

[25]. 上海市“科技创新行动计划”研发基地建设项目，8英寸相变存储器工艺平台关键技术研究（08DZ2200700），2008.7-2010.9，140万，参与

[26]. 上海市科委AM基金项目，新型相变存储器用无Te高速低功耗相变材料及器件的研究（07SA08），2008.1-2009.6，18.80万，参与

[27]. 国家纳米重大科学研究计划（973）项目课题，基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究（2007CB935400），3276.33万，PCRAM的纳米共性技术研究（2007CB935404），2007.7-2011.8，1998.60万，参与

[28]. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，高密度PCRAM存储单元及其集成技术研究（0752nm013），2007. 9-2009. 8，300万，参与

[29]. 国家973项目课题，纳米尺度硅基集成电路中新材料的基础研究（2006CB302706），2006.9-2010.12，225万，参与

[30]. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，C-RAM芯片设计和关键制备技术研究（0652nm003），2006. 10-2008. 9，120万，参与

[31]. 中国科学院JGZC项目，相变存储器(C-RAM)材料与芯片技术研究（61501050405），2006. 1-2008. 12，100万，参与

[32]. 中国科学院科研装备研制和改造项目，多功能磁控等离子体工艺系统（Y2005027），2005. 12-2007. 7，160万，参与

[33]. 上海市科学技术发展基金基础计划处优秀学科带头人计划项目，新型纳米相变材料及其相变机理研究（06XD14025），2006. 10-2008. 9，25万，参与

[34]. 与SST(Silicon Storage Technology)的国际合作项目，C-RAM的研究，2003-2009，400万，参与

[35]. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，C-RAM器件单元制备工艺及关键测试、演示系统研究（0452nm012），2004. 10-2006. 7，50万，参与

[36]. 中国科学院科技创新基金项目，相变型存储器C-RAM关键材料制备与器件工艺探索（CXJJ-124），2004. 10-2005. 9，20万，参与

[37]. 国家863计划项目，纳米C-RAM集成器件关键技术研究 （2004AA302G20），2004. 7-2006. 3，180万，参与

[38]. 上海市科学技术发展基金重点实验室专项资金计划项目，相变半导体存储器关键技术研究（04DZ05612），2004. 7-2006. 6，120万，参与

[39]. 国家863计划项目，纳电子器件C-RAM关键技术研究（2003AA302720），2003. 7-2005. 11，200万，参与

[40].上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，纳米半导体薄膜材料加工测试平台（0359nm204），2003. 1-2004. 8，150万，参与

【奖励荣誉】

[1]. 2025年12月，2025年度九三学社苏州市委信息工作先进个人突出贡献奖

[2]. 2025年10月，九三学社创建80周年全国优秀社员

[3]. 2025年1月，2024年度政协苏州市第十五届委员会第三次会议以来年度好提案

[4]. 2024年12月，2024年度九三学社苏州市委信息工作先进个人突出贡献奖

[5]. 2023年12月，2023年度九三学社苏州市委信息工作先进个人

[6]. 2022年7月，苏州科技大学“三育人”工作先进个人奖

[7]. 2020年12月，2020年度九三学社苏州市委信息工作先进个人一等奖

[8]. 2020年9月，江苏省双创人才（高校创新类）

[9]. 2019年10月，首届上海市知识产权创新奖专利商标二等奖（排名1/3）

[10]. 2019年1月，上海市技术发明二等奖（排名3/10）

[11]. 2018年6月，江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象（中青年领军人才）

[12]. 2017年11月，中国电子学会技术发明三等奖（排名3/6）

[13]. 2011年12月，入选上海市青年科技启明星二十周年典型宣传案例画册（1419人选拔30人）

[14]. 2011年12月，中国科学院青年创新促进会会员

[15]. 2009年6月，上海市青年科技启明星跟踪

[16]. 2008年3月，首届中国科学院卢嘉锡青年人才奖

[17]. 2006年12月，上海市青年科技启明星

【社会兼职】

[1]. 2024年7月，中国光学学会终身高级会员

[2]. 2022年5月，“江苏省建筑碳中和技术工程研究中心”技术委员会委员

[3]. 2022年3月，九三学社苏州市第十一届委员会文教工作委员会委员

[4]. 2022年1月，中国人民政治协商会议江苏省苏州市第十五届委员会委员

[5]. 2021年12月，中国材料研究学会高级会员

[6]. 2021年8月，中国神经科学学会会员

[7]. 2021年7月，中国科学院上海微系统与信息技术研究所兼职研究员

[8]. 2020年11月，中国电子学会终身高级会员

[9]. 2019年4月，苏州科技大学学术委员会委员

[10]. 2017年4月，齐鲁工业大学客座教授

[11]. 2008年1月-至今，中国物理学会固体缺陷专业委员会委员（第四~第七届）

【代表性论著、授权专利及论文】

论著

[1]. Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications (Editor: Fuxi Gan and Yang Wang), Chapter 11-Phase Change Random Access Memory, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2015.1, Singapore: 463-589

[2]. 《大辞海·材料科学卷》（夏征农、陈至立主编，郭景坤等编），“信息功能材料”，“信息储存材料”，上海辞书出版社，2014.12，上海：563-577

[3]. 《相变存储器》（宋志棠著），第2章“Ge₂Sb₂Te₅相变材料及其改性”，第1-3节，科学出版社，2010.2，北京：22-45

[4]. 《光子学技术与应用》（刘颂豪院士主编），第13编“光存储技术”（干福熹院士主编），第二章“光盘存储技术”，第六节“相变可擦重写型光盘”，广东科技出版社、安徽科技出版社，2006.9，广州、合肥：1265-1273

[5]. 《中国材料工程大典》（路甬祥院士主编），第12卷“信息功能材料工程”（中）（王占国院士、陈立泉院士和屠海令主编），第8篇“存储材料”，第14章“非易失性存储材料”，化学工业出版社，2006.3，北京：269-272

代表性授权专利

[1]. 刘波、宋志棠、封松林。一种相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 201510177956.3，申请日期：2015-4-15，授权公告日：2017-4-19

[2]. 刘波、宋志棠。包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370885.X，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-7-6

[3]. 刘波、宋志棠、封松林。一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，专利号：ZL 201310534339.5，申请日期：2013-10-31，授权公告日：2016-6-1

[4]. 刘波、宋志棠。三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370735.9，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-3-9

[5]. 刘波、宋志棠、张挺、李莹、钟旻、封松林。相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 201110020727.2，申请日期：2011-1-18，授权公告日：2014-7-2

[6]. 刘波、宋志棠、张挺、封松林。包含夹层的相变存储器及制作方法，专利号：ZL 200910045870.X，申请日期：2009-1-23，授权公告日：2012-8-29

[7]. 刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。用于相变存储器的加热电极材料及制备方法，专利号：ZL 200610023390.X，申请日期：2006-1-18，授权公告日：2011-7-20

[8]. 刘波、宋志棠、张挺、封松林。掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法，专利号：ZL 200910053119.4，申请日期：2009-6-15，授权公告日：2011-2-16

[9]. 刘波、宋志棠、封松林、陈宝明。相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法，专利号：ZL 200710043924.X，申请日期：2007-7-17，授权公告日：2009-8-19

[10]. 刘波、宋志棠、封松林、陈鲍明。一种纳米相变存储器器件单元的制备方法，专利号：ZL 200410053564.8，申请日期：2004-8-6，授权公告日：2008-6-25

[11]. 刘波、宋志棠、封松林。采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法，专利号：ZL 200510110783.X，申请日期：2005-11-25，授权公告日：2008-4-23

[12]. 刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法，专利号：ZL 200410053752.0，申请日期：2004-8-13，授权公告日：2007-12-19

[13]. 刘波、宋志棠、封松林、张挺、夏吉林、陈邦明。可用于相变存储器多级存储的相变材料，专利号：ZL 200410067987.5，申请日期：2004-11-10，授权公告日：2007-7-11

[14]. Chao Zhang, Guanping Wu, Bo Liu, and Zhitang Song. Semiconductor device manufacturing method, Application Number: 13369738, Application Date: 2012-2-9, Grant Number: US08586405, Grant Date: 2013-11-19

[15]. Chao Zhang, Zhitang Song, Xudong Wan, Bo Liu, Guanping Wu, Ting Zhang, Zuoya Yang, Zhifeng Xie. Method of fabricating dual shallow trench isolated epitaxal diode array, Application Number: 13203135, Application Date: 2011-6-23, Grant Number: US08476085, Grant Date: 2013-7-2

[16]. Zhitang Song, Yuefeng Gong, Feng Rao, Bo Liu, Yong Kang, Bangming Chen. Phase-change storage unit containing TiSiN material layer and method for preparing the same, Application Number: 14123454, Application Date: 2012-12-27, Grant Number: US9276202, Grant Date: 2016-3-1

[17]. Chao Zhang, Zhitang Song, Xudong Wan, Bo Liu, Guanping Wu, Ting Zhang, Zuoya Yang, Zhifeng Xie. Method of preventing auto-doping during epitaxial layer growth by cleaning the reaction chamber with hydrogen chloride, Application Number: 13202944, Application Date: 2011-6-27, Grant Number: US9334583, Grant Date: 2016-5-10

[18]. Cheng Peng, Liangcai Wu, Feng Rao, Zhitang Song, Bo Liu, Xilin Zhou, Min Zhu. Al-Sb-Te phase change material used for phase change memory and fabrication method thereof, Application Number: 13202953, Application Date: 2011-6-24, Grant Number: US8920684, Grant Date: 2014-12-30

代表性论文

[1] Ruirui Wang, Lin Wang, Ziwei Xu, Qianqian Liu, Miao Cheng, Jing Hu, Tao Wei, Ziliang Chen*, Wanfei Li*, Bo Liu*. Interfacial modulation of heterogeneous W/WN crystals enable efficient sulfur redox reactions in lithium-sulfur batteries, Journal of Colloid And Interface Science, 2026, 706: 139572

[2] Miao Cheng, Yabing Li, Jiaming Shi, Qianqian Liu, Ruirui Wang, Wujun Ma, Bo Liu*, Muzi Chen, Wanfei Li*, Yuegang Zhang*. Ga₅Mg₂ alloy solid electrolyte interphase in-situ formed in [Mg(DME)₃][GaCl₄]₂/PYR14TFSI/DME electrolyte enables high-performance rechargeable magnesium batteries, Journal of Magnesium and Alloys, 2025, 13(8): 3896-3905

[3] Qianchen Liu, Tao Wei*, Yonghui Zheng, Chuantao Xuan, Lihao Sun, Jing Hu, Miao Cheng, Qianqian Liu, Ruirui Wang, Wanfei Li, Yan Cheng*, and Bo Liu*. Picosecond operation of optoelectronic hybrid phase change memory based on Si-doped Sb films, Advanced Functional Materials, 2025, 35(11): 2417128

[4] Zhiwei Li, Tao Wei*, Lihao Sun, Jing Hu, Miao Cheng, Qianqian Liu, Ruirui Wang, Yun Ling, Wanfei Li, Bo Liu*. High-resolution multilevel reversible color printing based on Sb₂S₃ phase change material, Photonics Research, 2025, 13(3): 661-670

[5] Shaoqing Pan, Miao Cheng*, Chen Ma, Huaijia Jing, Tongyu Shen, Jing Hu, Qianqian Liu, Tao Wei, Ruirui Wang, Wanfei Li*, Bo Liu*. Bimetallic Bi-Sn nanoparticles in-situ anchored in carbon nanofiber as flexible self-supporting anode toward advanced magnesium ion batteries, Chemical Engineering Journal, 2025, 505: 159626

[6] Qianqian Liu^*, Xing Du, Ao Zhou, Jinyan Chen, Xuan Wang, Ruirui Wang, Miao Cheng, Jing Hu, Tao Wei, Yuanyuan Cui, Feng Chen, Wanfei Li, Wei-Lin Dai, Bo Liu*. Dipole field as charge-transfer bridge between Cu atomic clusters/PtCu alloy nanocubes and nitrogen-rich C₃N₅ for superior photocatalytic hydrogen evolution, Journal of Colloid and Interface Science, 2025, 678: 114-124

[7] Miao Cheng*, Yifan Yuan, Huaijia Jin, Jing Hu, Qianqian Liu, Tao Wei, Ruirui Wang, Wanfei Li, Bo Liu*. Eco-friendly synthesis of chemically cross-linked chitosan/cellulose nanocrystal/CMK-3 aerogel based shape-stable phase change material with enhanced energy conversion and storage, Carbohydrate Polymers, 2024, 324: 121514

[8] Ben Wu, Tao Wei^*, Qianchen Liu, Yan Cheng, Yonghui Zheng, Ruirui Wang, Qianqian Liu, Miao Cheng, Wanfei Li, Jing Hu, Yun Ling, and Bo Liu*. Ultrafast SET/RESET operation for optoelectronic hybrid phase-change memory device cells based on Ge₂Sb₂Te₅ material using partial crystallization strategy, Applied Physics Letters, 2023, 123(19): 191110

[9] Jing Hu*, Cong Lin, Yan Cheng, Yonghui Zheng, Tao Wei, Wanfei Li, Yun Ling, Qianqian Liu, Miao Cheng, Ruirui Wang, Sannian Song, Zhitang Song, Yinghui Wei, Bo Liu*. Co-doping: An effective strategy for developing stable and high-speed Sb₂Te-based phase-change memory, Applied Physics Letters, 2023, 122(22): 222108

[10] Jing Hu*, Shouxi Xu, Nan Li, Jinjuan Li, Miao Cheng, Tao Wei, Qianqian Liu, Wanfei Li, Yalei Dong*, Yafei Zhang and Bo Liu*. Designing one-dimensional hierarchical Cu@Cu₂O/CuO core-shell heterostructure for highly sensitive detection of NO₂ at room temperature, Sensors and Actuators B: Chemical, 2023, 378: 133118

[11] Miao Cheng, Junjie Liu, Xiaomian Wang, Yabing Li, Wentao Xia, Qianqian Liu*, Jing Hu, Tao Wei, Yun Ling, Bo Liu*, Wanfei Li*. In-situ synthesis of Bi nanospheres anchored in 3D interconnected cellulose nanocrystal derived carbon aerogel as anode for high-performance Mg-ion batteries, Chemical Engineering Journal, 2022, 451(3): 138824

[12] Miao Cheng*, Jing Hu*, Jianqiang Xia, Qianqian Liu, Tao Wei, Yun Ling, Wanfei Li and Bo Liu*. One-step in-situ green synthesis of cellulose nanocrystal aerogel based shape stable phase change material, Chemical Engineering Journal, 2022, 431(1): 133935

[13] Bo Liu*, Tao Wei, Jing Hu, Wanfei Li, Yun Ling, Qianqian Liu, Miao Cheng, and Zhitang Song. Universal memory based on phase change materials: from phase change random access memory to optoelectronic hybrid storage, Chinese Physics B, 2021, 30(5): 058504

[14] Sai Sun, Xiaodong Zhuang*, Luxin Wang, Bo Liu*, Bin Zhang, Yu Chen*. BODIPY-based conjugated polymer grafted reduced graphene oxide for flexible nonvolatile memory devices, Carbon, 2017, 116: 713-721

[15]  Qing Wang, Minghui Jiang, Bo Liu*, Yang Wang*, Yonghui Zheng, Sannian Song, Yiqun Wu, Zhitang Song, Songlin Feng. Reversible phase change characteristics of Cr-doped Sb₂Te₃ films with different initial states induced by femtosecond pulses, ACS Applied Materials & Interfaces, 2016, 8(32): 20885-20893

[16] Juntao Li, Yangyang Xia, Bo Liu*, Gaoming Feng, Zhitang Song, Dan Gao, Zhen Xu, Weiwei Wang, Yipeng Chan, and Songlin Feng. Direct evidence of reactive ion etching induced damages in Ge₂Sb₂Te₅ based on different halogen plasmas, Applied Surface Science, 2016, 378: 163-166

[17] Qing Wang, Bo Liu*, Yangyang Xia, Yonghui Zheng, Ruru Huo, Qi Zhang, Sannian Song, Yan Cheng, Zhitang Song, Songlin Feng. Cr-doped Ge₂Sb₂Te₅ for ultra-long data retention phase change memory, Applied Physics Letters, 2015, 107(22): 222101

[18] Aodong He, Bo Liu*, Zhitang Song, Weili Liu, Yegang Lu, Liangyong Wang, Guanping Wu, and Songlin Feng. Endpoint detection of Ge₂Sb₂Te₅ during chemical mechanical planarization, Applied Surface Science, 2013, 283: 304-308

[19] Yan Liu, Zhitang Song, Bo Liu*, Guanping Wu, Houpeng Chen, Chao Zhang, Lianhong Wang, and Songlin Feng. Optimization of 40nm node epitaxial diode array for phase-change memory application, IEEE Electron Device Letters, 2012, 33(8): 1192-1194

[20] Bo Liu*, Zhitang Song, Ting Zhang, Jilin Xia, Songlin Feng, and Bomy Chen. Effect of N-implantation on the structural and electrical characteristics of Ge₂Sb₂Te₅ phase change film, Thin Solid Films, 2005, 478(1-2): 49-55

[21] Bo Liu*, Zhitang Song, Ting Zhang, Songlin Feng, Bomy Chen. Effect of O-implantation on the structure and resistance of Ge₂Sb₂Te₅ film, Applied Surface Science, 2005, 242(1-2): 62-69

[22] Bo Liu*, Ting Zhang, Jilin Xia, Zhitang Song, Songlin Feng, Bomy Chen. Nitrogen-implanted Ge₂Sb₂Te₅ film used as multilevel storage media for phase change random access memory, Semiconductor Science and Technology, 2004, 19(6): L61-L64

[23] 刘波，王豪。C₆₀薄膜的热处理性能研究，无机材料学报, 2000, 15(5): 957-960

代表性教学成果

[1]. 刘波、胡敬、魏涛。《半导体材料学》，苏州科技大学课程思政示范课建设项目（2021SZKC-49）

[2]. 刘波、胡敬、魏涛。《半导体材料学》，2020年度苏州科技大学课程思政教学设计方案优秀案例，2022.01-2022.12，2万

[3]. 刘成宝、刘波。江苏省研究生教育教学改革课题，扩招背景下提升研究生科研创新能力与水平的体制机制研究（JGKT_C073），2022.01-2022.12，2万

[4]. 刘波、刘成宝。扩招背景下提升研究生培养质量的几点思考，新教育时代，2023, 1: 80-83

[5]. 刘波、胡敬、魏涛、李永丹、李丹霞。多种教学方法相融合，强化感性与实物教学—浅谈半导体材料学课程的教学体会，教学与研究，2022, 56(6): 184

[6]. 刘波、魏涛、胡敬、李永丹、李丹霞。《半导体材料学》课程思政教育建设的思考，教育学文摘，2022, 37(2): 229