近日，团队最新研究成果发表在知名期刊Advanced Functional Materials [2025, 35(11): 2417128]（SCI一区TOP），相关成果题目为“Picosecond operation of optoelectronic hybrid phase change memory based on Si-doped Sb films”。刘波教授和魏涛副教授为通讯作者，研究生刘倩琛为第一作者。

光电混合相变存储作为一种超快且非易失性存储技术，具有实现存算一体化的发展潜力。然而，传统相变存储的热稳定性和操作速度间的矛盾对存内计算提出了挑战。本工作提出基于Si掺杂Sb的光电混合相变存储方案，成功实现高热稳定性和皮秒级超快操作速度。当Si掺杂量为8.64 at. %，其十年数据保持力温度达到152℃，SET和RESET操作速度分别达65 ps和13 ps。此外，该薄膜在不同温度下均具有极低的阻值漂移系数（0.014 @ 85 °C, 0.038 @ 125 °C和0.041 @ 150 °C）和体积变化率（≈0.5 %）。结构分析表明，非晶态、激光SET态和RESET态薄膜中Si-Sb键的缺失和简立相的存在有利于实现超快操作速度。因此，基于Si掺杂Sb的光电混合相变存储是实现存算一体化的潜在方案。

该工作的开展获得了国家自然科学青年基金项目（NO.62205231）和江苏省研究生科研创新计划项目（NO.KYCX23_3315）等支持。